硅(si)自由空間型帶放大的光電探測器, 由硅(si)光電二極管+可調增益放大器集成封裝而成。光靈敏范圍從紫外到近紅外, 典型光譜范圍覆蓋 190nm~1100nmo PDA 系列帶放大的光電探測器內置低噪聲跨阻放大器(TIA)或低噪聲TIA后接電壓放大器。 本產品信號系列屬于可調增益的版本, 具備八個定量增益檔位, 滿足您不同光強條件下的光電探測應用開發。 產品參數： | 產品型號 | BOS100A2 | BOS36A2 | BOS mount | | 信號特性 | | | 波長范圍 | 320nm~1100nm | 190nm~1100nm | 放大型可調增益底座, 兼容各種硅(si)光電二極管 | | 寬帶范圍 | DC~11MHZ | DC~12MHZ | DC~12MHZ | | 增益 GAIN | Hi-Z 負載 | 50Ω負載 | Hi-Z 負載 | 50Ω負載 | Hi-Z 負載 | 50Ω負載 | | 1.51KV/A~4.75 MV/A | 0.75KV/A~2.38 MV/A | 1.51KV/A~4.75 MV/A | 0.75KV/A~2.38 MV/A | 1.51KV/A~4.75 MV/A | 0.75KV/A~2.38 MV/A | | 信號幅值 | 0~10V | 0~5V | 0~10V | 0~5V | 0~10V | 0~5V | | 增益調節方式 | 旋鈕檔位式調節, 0~70dB, 每 10dB一檔, 共88檔。 帶寬與增益成反比。 | | NEP | 2.67~71.7pw/HZ1/2 | 3.25~75.7pw/HZ1/2 | NEppd*GAIN | | 有效探測面積 | 75.4mm2 Φ9.8mm | 13mm2 3.6mmx3.6mm | 從1mm到48mm各種尺寸探測器可供選擇 | | 環境參數 | | | 供電電源 | LDS12B(DP), ±12VDC穩壓線性電源, 6W, 220VAC (需單獨購買) | | 工作溫度 | 10~40℃ | | 存儲溫度 | 20~70℃ | | , , 環境參數 | | | 供電接口 | LUMBER G RSMV3- FAMALE | | 供電開關 | 滑動開關 | | 信號接口 | BNC母座 | | 增益調節 | 8檔旋鈕 | | 支桿接口 | M4X2 | | 光學接口 | SM1X1 , SM0.5X1 | | 外觀尺寸 | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) | | 光敏面深度 | 0.13" (3.3mm) | | 探測器凈重 | 0.10kg | | |
